Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 1378/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
S29GL01GS10FHSS20
S29GL01GS10FHSS20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음2,502
S29GL01GS10FHSS23
S29GL01GS10FHSS23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,922
S29GL01GS10FHSS30
S29GL01GS10FHSS30

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음2,466
S29GL01GS10FHSS33
S29GL01GS10FHSS33

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음3,726
S29GL01GS10FHSS40
S29GL01GS10FHSS40

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,184
S29GL01GS10FHSS43
S29GL01GS10FHSS43

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음2,952
S29GL01GS10SFI020
S29GL01GS10SFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,214
S29GL01GS10TFA010
S29GL01GS10TFA010

Cypress Semiconductor

기억

IC 1 GB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음4,626
S29GL01GS10TFA020
S29GL01GS10TFA020

Cypress Semiconductor

기억

IC 1 GB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음6,930
S29GL01GS10TFA023
S29GL01GS10TFA023

Cypress Semiconductor

기억

IC 1 GB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,976
S29GL01GS10TFI010
S29GL01GS10TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음879
S29GL01GS10TFI013
S29GL01GS10TFI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음4,284
S29GL01GS10TFI020
S29GL01GS10TFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,802
S29GL01GS10TFI023
S29GL01GS10TFI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,118
S29GL01GS11DHAV20
S29GL01GS11DHAV20

Cypress Semiconductor

기억

IC 1 GB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,430
S29GL01GS11DHAV23
S29GL01GS11DHAV23

Cypress Semiconductor

기억

IC 1G FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,078
S29GL01GS11DHB010
S29GL01GS11DHB010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음9,324
S29GL01GS11DHB013
S29GL01GS11DHB013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,412
S29GL01GS11DHB020
S29GL01GS11DHB020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,526
S29GL01GS11DHI010
S29GL01GS11DHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음7,116
S29GL01GS11DHI020
S29GL01GS11DHI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음15,360
S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS11DHIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음6,107
S29GL01GS11DHIV13
S29GL01GS11DHIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음6,498
S29GL01GS11DHIV20
S29GL01GS11DHIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음14,148
S29GL01GS11DHIV23
S29GL01GS11DHIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음4,194
S29GL01GS11DHSS10
S29GL01GS11DHSS10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,424
S29GL01GS11DHSS20
S29GL01GS11DHSS20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,971
S29GL01GS11DHSS60
S29GL01GS11DHSS60

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,838
S29GL01GS11DHSS63
S29GL01GS11DHSS63

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,316
S29GL01GS11DHV010
S29GL01GS11DHV010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음13,908