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메모리 IC

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부품 번호
설명
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S29GL032N11FFIS42
S29GL032N11FFIS42

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,840
S29GL032N11FFIS43
S29GL032N11FFIS43

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음3,186
S29GL032N11FFIV10
S29GL032N11FFIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음3,654
S29GL032N11FFIV12
S29GL032N11FFIV12

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,876
S29GL032N11FFIV13
S29GL032N11FFIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,272
S29GL032N11FFIV20
S29GL032N11FFIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,020
S29GL032N11FFIV22
S29GL032N11FFIV22

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음2,862
S29GL032N11FFIV23
S29GL032N11FFIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,946
S29GL032N11TFIV10
S29GL032N11TFIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,658
S29GL032N11TFIV13
S29GL032N11TFIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,398
S29GL032N11TFIV20
S29GL032N11TFIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,418
S29GL032N11TFIV23
S29GL032N11TFIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,964
S29GL032N11WEI039
S29GL032N11WEI039

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL WAFER

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: Die
  • 공급자 장치 패키지: Wafer
재고 있음8,010
S29GL032N90BAI030
S29GL032N90BAI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음8,172
S29GL032N90BAI040
S29GL032N90BAI040

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음8,172
S29GL032N90BFA040
S29GL032N90BFA040

Cypress Semiconductor

기억

IC 32 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,942
S29GL032N90BFA043
S29GL032N90BFA043

Cypress Semiconductor

기억

IC 32M FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,768
S29GL032N90BFI030
S29GL032N90BFI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음115
S29GL032N90BFI032
S29GL032N90BFI032

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음2,214
S29GL032N90BFI033
S29GL032N90BFI033

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음4,716
S29GL032N90BFI040
S29GL032N90BFI040

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음24,054
S29GL032N90BFI042
S29GL032N90BFI042

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음6,228
S29GL032N90BFI043
S29GL032N90BFI043

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음4,068
S29GL032N90BFVR40
S29GL032N90BFVR40

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음3,114
S29GL032N90DAI010
S29GL032N90DAI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음5,976
S29GL032N90DAI020
S29GL032N90DAI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,898
S29GL032N90DFBR20
S29GL032N90DFBR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,448
S29GL032N90DFBR23
S29GL032N90DFBR23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음5,382
S29GL032N90DFI010
S29GL032N90DFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,294
S29GL032N90DFI020
S29GL032N90DFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음37,158