메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S29GL064N11FFIS33 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음6,984
S29GL064N11FFIS40 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음8,028
S29GL064N11FFIS42 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음5,562
S29GL064N11FFIS43 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음7,380
S29GL064N11FFIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음6,678
S29GL064N11FFIV12 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음6,822
S29GL064N11FFIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음5,418
S29GL064N11FFIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음408
S29GL064N11FFIV22 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음2,754
S29GL064N11FFIV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음7,974
S29GL064N11TAIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,952
S29GL064N11TFIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,994
S29GL064N11TFIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,268
S29GL064N11TFIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음17,484
S29GL064N11TFIV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음7,074
S29GL064N11TFIV60 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음1,042
S29GL064N11TFIV63 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음6,066
S29GL064N11TFIV70 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음2,448
S29GL064N11TFIV73 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음6,822
S29GL064N11WEI039 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL DIE 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,490
S29GL064N11WEI049 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL WAFER 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Wafer	재고 있음6,228
S29GL064N90BAI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음2,286
S29GL064N90BAI040 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음8,730
S29GL064N90BAI042 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음5,292
S29GL064N90BAI043 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음3,006
S29GL064N90BFA040 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,526
S29GL064N90BFA043 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,034
S29GL064N90BFI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음2,751
S29GL064N90BFI032 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음4,464
S29GL064N90BFI033 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-N 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음6,480

S29GL064N11FFIS33

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음6,984

S29GL064N11FFIS40

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음8,028

S29GL064N11FFIS42

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음5,562

S29GL064N11FFIS43

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음7,380

S29GL064N11FFIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음6,678

S29GL064N11FFIV12

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음6,822

S29GL064N11FFIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음5,418

S29GL064N11FFIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음408

S29GL064N11FFIV22

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음2,754

S29GL064N11FFIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음7,974

S29GL064N11TAIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,952

S29GL064N11TFIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,994

S29GL064N11TFIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음2,268

S29GL064N11TFIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음17,484

S29GL064N11TFIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음7,074

S29GL064N11TFIV60

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음1,042

S29GL064N11TFIV63

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음6,066

S29GL064N11TFIV70

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음2,448

S29GL064N11TFIV73

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음6,822

S29GL064N11WEI039

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL DIE

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,490

S29GL064N11WEI049

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL WAFER

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Wafer

재고 있음6,228

S29GL064N90BAI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음2,286

S29GL064N90BAI040

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음8,730

S29GL064N90BAI042

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음5,292

S29GL064N90BAI043

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음3,006

S29GL064N90BFA040

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,526

S29GL064N90BFA043

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,034

S29GL064N90BFI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음2,751

S29GL064N90BFI032

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음4,464

S29GL064N90BFI033

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-N
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음6,480

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