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메모리 IC

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S29GL064N90BFI040
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IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
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IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
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S29GL064N90BFI043
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IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
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IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음6,624
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
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  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,820
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음4,356
S29GL064N90FAI013
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,334
S29GL064N90FAI020
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,200
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음3,708
S29GL064N90FAI030
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,396
S29GL064N90FAI040
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음4,284
S29GL064N90FFA020
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IC FLASH 64M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,048
S29GL064N90FFA023
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음22,896
S29GL064N90FFI010
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음4,840
S29GL064N90FFI012
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,058
S29GL064N90FFI013
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,352
S29GL064N90FFI020
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음2,100
S29GL064N90FFI022
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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,388
S29GL064N90FFI023
S29GL064N90FFI023

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IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,128
S29GL064N90FFI030
S29GL064N90FFI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,966
S29GL064N90FFI032
S29GL064N90FFI032

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,004
S29GL064N90FFI033
S29GL064N90FFI033

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-N
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,004