메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
71024S25TYGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음6,210
71124S12YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음6,936
71124S12YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음3,041
71124S15YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음7,236
71124S15YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음2,430
71124S15YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음7,992
71124S15YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음8,460
71124S20YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음8,280
71124S20YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음5,220
71124S20YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음5,166
71124S20YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음3,978
71256L100DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음90
71256L100TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음6,678
71256L20YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음15,540
71256L20YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음6,534
71256L20YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음8,748
71256L20YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음4,518
71256L25DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음2,016
71256L25TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음7,542
71256L25YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음4,140
71256L25YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음6,912
71256L25YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음3,492
71256L25YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음6,714
71256L35DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음2,070
71256L35TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음6,804
71256L35YG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음9,156
71256L35YG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음3,078
71256L35YGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음7,848
71256L35YGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음5,472
71256L45DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음616

71024S25TYGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음6,210

71124S12YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음6,936

71124S12YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음3,041

71124S15YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음7,236

71124S15YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음2,430

71124S15YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음7,992

71124S15YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음8,460

71124S20YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음8,280

71124S20YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음5,220

71124S20YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음5,166

71124S20YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음3,978

71256L100DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음90

71256L100TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음6,678

71256L20YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음15,540

71256L20YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음6,534

71256L20YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음8,748

71256L20YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음4,518

71256L25DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음2,016

71256L25TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음7,542

71256L25YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음4,140

71256L25YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음6,912

71256L25YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음3,492

71256L25YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음6,714

71256L35DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음2,070

71256L35TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음6,804

71256L35YG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음9,156

71256L35YG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음3,078

71256L35YGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음7,848

71256L35YGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음5,472

71256L45DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음616

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message