트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MS1337 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음2,100
MS1402 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 450MHz ~ 512MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M122 공급자 장치 패키지: M122	재고 있음7,200
MS1406 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.2dB 전력-최대: 30W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음8,262
MS1409 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 175MHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 7W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음2,376
MS1509 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 33V 500MHZ M168 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 5.5dBi 전력-최대: 260W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M168 공급자 장치 패키지: M168	재고 있음7,956
MS1512 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ M122 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 19.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M122 공급자 장치 패키지: M122	재고 있음2,538
MS1579 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 65W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 20V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M156 공급자 장치 패키지: M156	재고 있음6,030
MS1582 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 860MHZ M173 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 135W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M173 공급자 장치 패키지: M173	재고 있음8,766
MS1612 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,176
MS1649 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 470MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 7.8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음6,462
MS1701 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,030
MS1801 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,670
MS2091H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,204
MS2092H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,650
MS2200 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 400MHz ~ 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.7dB 전력-최대: 1167W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43.2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M102 공급자 장치 패키지: M102	재고 있음6,534
MS2200A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,726
MS2201 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 10W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 0.95 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M220 공급자 장치 패키지: M220	재고 있음6,966
MS2202 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 1.15GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 10W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음5,832
MS2203 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.8dB ~ 12.3dB 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M220 공급자 장치 패키지: M220	재고 있음7,272
MS2204 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.8dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음4,104
MS2205 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M105 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 21.9W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M105 공급자 장치 패키지: M105	재고 있음7,182
MS2206 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 7.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음3,708
MS2206A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,560
MS2207 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 880W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음141,639
MS2209 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 225MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.4dB 전력-최대: 220W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M218 공급자 장치 패키지: M218	재고 있음4,824
MS2210 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 940W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음7,524
MS2210A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,734
MS2211 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 48V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.3dB 전력-최대: 25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900mA 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M222 공급자 장치 패키지: M222	재고 있음7,632
MS2212 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.1dB ~ 8.9dB 전력-최대: 50W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M222 공급자 장치 패키지: M222	재고 있음6,732
MS2213 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.8dB 전력-최대: 75W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M214 공급자 장치 패키지: M214	재고 있음5,292

MS1337

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음2,100

MS1402

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 450MHz ~ 512MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M122
공급자 장치 패키지: M122

재고 있음7,200

MS1406

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.2dB
전력-최대: 30W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음8,262

MS1409

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 175MHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 7W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음2,376

MS1509

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 33V 500MHZ M168

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 5.5dBi
전력-최대: 260W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M168
공급자 장치 패키지: M168

재고 있음7,956

MS1512

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ M122

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 19.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M122
공급자 장치 패키지: M122

재고 있음2,538

MS1579

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 65W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 20V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M156
공급자 장치 패키지: M156

재고 있음6,030

MS1582

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 860MHZ M173

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 135W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M173
공급자 장치 패키지: M173

재고 있음8,766

MS1612

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,176

MS1649

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 470MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 7.8W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음6,462

MS1701

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,030

MS1801

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,670

MS2091H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,204

MS2092H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,650

MS2200

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 400MHz ~ 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.7dB
전력-최대: 1167W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43.2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M102
공급자 장치 패키지: M102

재고 있음6,534

MS2200A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,726

MS2201

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 10W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 0.95 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M220
공급자 장치 패키지: M220

재고 있음6,966

MS2202

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 1.15GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 10W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음5,832

MS2203

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.8dB ~ 12.3dB
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M220
공급자 장치 패키지: M220

재고 있음7,272

MS2204

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.8dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음4,104

MS2205

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M105

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 21.9W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M105
공급자 장치 패키지: M105

재고 있음7,182

MS2206

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 7.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음3,708

MS2206A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,560

MS2207

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 880W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음141,639

MS2209

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 225MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.4dB
전력-최대: 220W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M218
공급자 장치 패키지: M218

재고 있음4,824

MS2210

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 940W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음7,524

MS2210A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,734

MS2211

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 48V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.3dB
전력-최대: 25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900mA
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M222
공급자 장치 패키지: M222

재고 있음7,632

MS2212

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.1dB ~ 8.9dB
전력-최대: 50W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M222
공급자 장치 패키지: M222

재고 있음6,732

MS2213

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.8dB
전력-최대: 75W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M214
공급자 장치 패키지: M214

재고 있음5,292

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