트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AUIRF7319Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음46,243
AUIRF7319QTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,388
AUIRF7341Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,330
AUIRF7341QTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,840
AUIRF7342Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,888
AUIRF7342QTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,130
AUIRF7343Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,348
AUIRF7343QTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음35,334
AUIRF7379Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음51,499
AUIRF7379QTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,030
AUIRF9952Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,856
AUIRF9952QTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,732
AUIRFN8458TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 25V 전력-최대: 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)	재고 있음6,624
AUIRFN8459TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V 전력-최대: 50W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)	재고 있음7,866
BSC072N03LDGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 15V 전력-최대: 57W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음4,644
BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, 31A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 12V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음7,956
BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 12V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음45,954
BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 31A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1025pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음52,740
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음5,850
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음2,916
BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1157pF @ 15V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음6,660
BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 30V 8TISON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8	재고 있음7,146
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V 전력-최대: 26W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음135,564
BSC750N10NDGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 50V 전력-최대: 26W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음5,688
BSD223P Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,118
BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음1,250,454
BSD223P L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,248
BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, 530mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음575,064
BSD235C L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, 530mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,338
BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음283,926

AUIRF7319Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음46,243

AUIRF7319QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,388

AUIRF7341Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,330

AUIRF7341QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,840

AUIRF7342Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,888

AUIRF7342QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,130

AUIRF7343Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,348

AUIRF7343QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음35,334

AUIRF7379Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음51,499

AUIRF7379QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,030

AUIRF9952Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,856

AUIRF9952QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,732

AUIRFN8458TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 25V
전력-최대: 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

재고 있음6,624

AUIRFN8459TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
전력-최대: 50W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)

재고 있음7,866

BSC072N03LDGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 15V
전력-최대: 57W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음4,644

BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, 31A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 12V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음7,956

BSC0911NDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 12V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음45,954

BSC0921NDIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 31A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1025pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음52,740

BSC0923NDIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음5,850

BSC0924NDIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음2,916

BSC0925NDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1157pF @ 15V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음6,660

BSC0993NDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 30V 8TISON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

재고 있음7,146

BSC150N03LDGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
전력-최대: 26W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음135,564

BSC750N10NDGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 50V
전력-최대: 26W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음5,688

BSD223P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,118

BSD223PH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음1,250,454

BSD223P L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 15V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,248

BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, 530mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음575,064

BSD235C L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT-363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, 530mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,338

BSD235NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음283,926

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