트랜지스터

BSO615NGHUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSS138BKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 10V
• 전력-최대: 445mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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BSS138BKSH

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

BSS138BKS/SOT363/SC-88

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 10V
• 전력-최대: 445mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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BSS138DW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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BSS138DW-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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BSS138DWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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BSS138DWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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BSS138PS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
• 전력-최대: 420mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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BSS8402DW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, 130mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS8402DW-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, 130mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS8402DWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V/50V

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, 130mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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BSS84AKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• 전력-최대: 445mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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BSS84AKS/ZLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 50V 160MA 6TSSOP

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• 전력-최대: 445mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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BSS84AKV,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-666

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84DW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84DW-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSS84V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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BSZ0909NDXTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 15V
• 전력-최대: 17W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-WISON-8

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BSZ0910NDXTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

DIFFERENTIATED MOSFETS

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 25A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 15V
• 전력-최대: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-WISON-8

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BSZ15DC02KDHXTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 110µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8-FL

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BSZ215CHXTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 110µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSDSON-8

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BTS7904BATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 121nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V
• 전력-최대: 69W, 96W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
• 공급자 장치 패키지: PG-TO263-5-1

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BTS7904SAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V
• 전력-최대: 69W, 96W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-220-5
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-5-13

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BUK7K12-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 617pF @ 25V
• 전력-최대: 68W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK7K134-100EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 564pF @ 25V
• 전력-최대: 32W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK7K13-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2163pF @ 25V
• 전력-최대: 64W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK7K15-80EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.1nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2457pF @ 25V
• 전력-최대: 68W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK7K17-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1578pF @ 25V
• 전력-최대: 53W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK7K17-80EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 64W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK7K18-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 808pF @ 25V
• 전력-최대: 38W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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