트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.4nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 6V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음5,598
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 787pF @ 6V 전력-최대: 1.36W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음6,930
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 787pF @ 6V 전력-최대: 1.36W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음120,420
DMC1029UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음5,328
DMC1029UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음26,570
DMC1030UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V 전력-최대: 1.36W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음6,984
DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V 전력-최대: 1.36W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음4,374
DMC1030UFDBQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V 전력-최대: 1.36W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음2,844
DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V 전력-최대: 1.36W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음7,074
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음2,464
DMC1229UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음22,500
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,359,068
DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: X1-DFN1612-6	재고 있음29,970
DMC2004VK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA, 530mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음244,794
DMC2020USD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1149pF @ 10V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음74,916
DMC2025UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음3,060
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음8,856
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음1,024,398
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V 전력-최대: 800mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음2,642
DMC2041UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음3,438
DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음8,556
DMC2053UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음6,030
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음3,402
DMC2057UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음8,190
DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음8,622
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 455mA (Ta), 328mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: X2-DFN0806-6	재고 있음3,888
DMC2400UV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음205,884
DMC2400UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음1,597,434
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,622
DMC2450UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음71,320

DMC1018UPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 6.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.4nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 6V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음5,598

DMC1028UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 787pF @ 6V
전력-최대: 1.36W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음6,930

DMC1028UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 787pF @ 6V
전력-최대: 1.36W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음120,420

DMC1029UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음5,328

DMC1029UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음26,570

DMC1030UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
전력-최대: 1.36W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음6,984

DMC1030UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
전력-최대: 1.36W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음4,374

DMC1030UFDBQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V
전력-최대: 1.36W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음2,844

DMC1030UFDBQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1003pF @ 6V
전력-최대: 1.36W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음7,074

DMC1229UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음2,464

DMC1229UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음22,500

DMC2004DWK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT-363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,359,068

DMC2004LPK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: X1-DFN1612-6

재고 있음29,970

DMC2004VK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA, 530mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음244,794

DMC2020USD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1149pF @ 10V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음74,916

DMC2025UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음3,060

DMC2025UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음8,856

DMC2038LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음1,024,398

DMC2038LVTQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
전력-최대: 800mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음2,642

DMC2041UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음3,438

DMC2041UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음8,556

DMC2053UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음6,030

DMC2053UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음3,402

DMC2057UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음8,190

DMC2057UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음8,622

DMC21D1UDA-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 455mA (Ta), 328mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: X2-DFN0806-6

재고 있음3,888

DMC2400UV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음205,884

DMC2400UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음1,597,434

DMC2450UV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,622

DMC2450UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37.1pF @ 10V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음71,320

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