트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,748
DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.56nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790.8pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음55,398
DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.56nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790.8pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음21,060
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V 전력-최대: 1.24W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음48,816
DMC6040SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V 전력-최대: 1.24W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,556
DMC6070LFDH-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8	재고 있음6,570
DMC6070LND-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음2,034
DMC6070LND-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음8,010
DMC62D0SVQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 571mA (Ta), 304mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V, 26pF @ 25V 전력-최대: 510mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음49,182
DMC67D8UFDBQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,804
DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,628
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.07A, 845mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 10V 전력-최대: 330mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,526
DMG1016V-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V 전력-최대: 530mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음1,153,086
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V 전력-최대: 530mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음3,924
DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V 전력-최대: 530mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음53,430
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V 전력-최대: 530mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음1,014,834
DMG1023UVQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,976
DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,698
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V 전력-최대: 530mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음142,212
DMG1026UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 25V 전력-최대: 580mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음1,041,174
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 440mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 25V 전력-최대: 650mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음7,830
DMG1029SV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 360mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음4,498,680
DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 25V 전력-최대: 1.54W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지: TO-252-4L	재고 있음8,928
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.56nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 798pF @ 10V 전력-최대: 1.17W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음712,260
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478.9pF @ 16V 전력-최대: 1.42W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음114,540
DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478.9pF @ 16V 전력-최대: 1.42W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,668
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1932pF @ 15V 전력-최대: 1.19W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,092
DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1066.4pF @ 15V 전력-최대: 980mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN5020-6	재고 있음6,030
DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.9pF @ 10V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,950
DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.9pF @ 10V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음22,092

DMC4047LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,748

DMC4050SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음55,398

DMC4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음21,060

DMC6040SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
전력-최대: 1.24W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음48,816

DMC6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
전력-최대: 1.24W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,556

DMC6070LFDH-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8

재고 있음6,570

DMC6070LND-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음2,034

DMC6070LND-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음8,010

DMC62D0SVQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V, 26pF @ 25V
전력-최대: 510mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음49,182

DMC67D8UFDBQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,804

DMC67D8UFDBQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,628

DMG1016UDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.07A, 845mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 10V
전력-최대: 330mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,526

DMG1016V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
전력-최대: 530mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음1,153,086

DMG1016VQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
전력-최대: 530mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음3,924

DMG1016VQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
전력-최대: 530mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음53,430

DMG1023UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V
전력-최대: 530mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음1,014,834

DMG1023UVQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,976

DMG1023UVQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,698

DMG1024UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
전력-최대: 530mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음142,212

DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 25V
전력-최대: 580mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음1,041,174

DMG1026UVQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 440mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 25V
전력-최대: 650mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음7,830

DMG1029SV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 360mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음4,498,680

DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 25V
전력-최대: 1.54W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지: TO-252-4L

재고 있음8,928

DMG4800LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 798pF @ 10V
전력-최대: 1.17W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음712,260

DMG4822SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478.9pF @ 16V
전력-최대: 1.42W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음114,540

DMG4822SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478.9pF @ 16V
전력-최대: 1.42W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,668

DMG4932LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1932pF @ 15V
전력-최대: 1.19W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,092

DMG5802LFX-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
전력-최대: 980mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: W-DFN5020-6

재고 있음6,030

DMG6301UDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.9pF @ 10V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,950

DMG6301UDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.9pF @ 10V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음22,092

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