트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음22,230
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1154pF @ 20V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,182
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음22,446
DMP4050SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 20V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,970
DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.58nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50.54pF @ 25V 전력-최대: 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,352
DMP57D5UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29pF @ 25V 전력-최대: 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,808
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V 전력-최대: 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음154,632
DMP6050SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1293pF @ 30V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,744
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 969pF @ 30V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음109,023
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음8,514
DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음3,096
DMPH6050SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,246
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,078
DMS3017SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1276pF @ 15V 전력-최대: 1.19W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,070
DMS3019SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1932pF @ 15V 전력-최대: 1.19W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,122
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54.7A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1986pF @ 50V 전력-최대: 2.2W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음3,276
DMT2005UDV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 10V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음4,428
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 10V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음3,384
DMT3009LDT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type K)	재고 있음7,326
DMT3011LDT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 10.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V 전력-최대: 1.9W 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type K)	재고 있음4,338
DMT3020LDV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음4,986
DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음2,394
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음8,262
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음42,972
DMT3020LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V 전력-최대: 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,698
DMT3022UEV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 903pF @ 15V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음3,544
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 903pF @ 15V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음2,034
DMT47M2LDV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,686
DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,104
DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192

DMP4025LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음22,230

DMP4047SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1154pF @ 20V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,182

DMP4050SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음22,446

DMP4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 674pF @ 20V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,970

DMP56D0UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.58nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50.54pF @ 25V
전력-최대: 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,352

DMP57D5UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 29pF @ 25V
전력-최대: 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,808

DMP58D0SV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 25V
전력-최대: 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음154,632

DMP6050SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1293pF @ 30V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,744

DMP6110SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 969pF @ 30V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음109,023

DMPH6050SPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음8,514

DMPH6050SPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음3,096

DMPH6050SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,246

DMPH6050SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1525pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,078

DMS3017SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1276pF @ 15V
전력-최대: 1.19W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,070

DMS3019SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1932pF @ 15V
전력-최대: 1.19W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,122

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54.7A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1986pF @ 50V
전력-최대: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음3,276

DMT2005UDV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 10V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음4,428

DMT2005UDV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 10V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음3,384

DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type K)

재고 있음7,326

DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 10.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V
전력-최대: 1.9W
작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type K)

재고 있음4,338

DMT3020LDV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음4,986

DMT3020LDV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음2,394

DMT3020LFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음8,262

DMT3020LFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음42,972

DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 393pF @ 15V
전력-최대: 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,698

DMT3022UEV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 903pF @ 15V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음3,544

DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 903pF @ 15V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음2,034

DMT47M2LDV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,686

DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,104

DMT47M2LDVQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

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