Advanced Linear Devices Inc. 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

제조업체Advanced Linear Devices Inc.

기록 125

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부품 번호	제조업체	설명	재고 있음	시리즈	FET 유형	FET 기능	드레인-소스 전압 (Vdss)	전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	Rds On (최대) @ Id, Vgs	Vgs (th) (최대) @ Id	게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	전력-최대	작동 온도	장착 유형	패키지 / 케이스	공급자 장치 패키지
ALD111933MAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP	3,384	EPAD®	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	10.6V	-	500Ohm @ 5.9V	3.35V @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Surface Mount	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	8-MSOP
ALD1115MAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP	5,256	-	N and P-Channel Complementary	Standard	10.6V	-	1800Ohm @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF @ 5V	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Surface Mount	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	8-MSOP
ALD111910MAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 8MSOP	6,138	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD111910PAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 8DIP	5,688	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD111910SAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 8SOIC	5,040	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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