Broadcom 트랜지스터-양극 (BJT)-RF
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-양극 (BJT)-RF
제조업체Broadcom Limited
기록 63
페이지 3/3
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | 트랜지스터 유형 | 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 주파수-전환 | 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 이득 | 전력-최대 | DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 전류-수집기 (Ic) (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Broadcom |
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X |
5,148 |
|
- | NPN | 12V | 8GHz | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz | 10dB ~ 18dB | 500mW | 30 @ 10mA, 8V | 60mA | 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-SMD (35 micro-X) | 35 micro-X |
|
|
|
Broadcom |
RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP |
3,186 |
|
- | NPN | 12V | 9GHz | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz | 10.5dB ~ 14dB | 600mW | 30 @ 35mA, 8V | 80mA | 200°C (TJ) | Surface Mount | Die | Chip |
|
|
|
Broadcom |
RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP |
7,092 |
|
- | NPN | 20V | - | - | - | 3W | 20 @ 110mA, 8V | 200mA | 200°C (TJ) | Surface Mount | Die | - |