BF199_J35Z 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V 주파수-전환 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 38 @ 7mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V 주파수-전환 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 38 @ 7mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V 주파수-전환 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 38 @ 7mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
