BF199_J35Z
참조 용
| 부품 번호 | BF199_J35Z |
| PNEDA 부품 번호 | BF199_J35Z |
| 설명 | RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,380 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BF199_J35Z 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BF199_J35Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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BF199_J35Z 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 25V |
| 주파수-전환 | 1.1GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 350mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 38 @ 7mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
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제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 3.3V 주파수-전환 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz 이득 18dB 전력-최대 115mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대) 35mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-343F 공급자 장치 패키지 SOT-343F |
