EDF8164A3PK-JD-F-R 데이터 시트
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 216-WFBGA 공급자 장치 패키지 216-FBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 216-WFBGA 공급자 장치 패키지 216-FBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 216-WFBGA 공급자 장치 패키지 216-FBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 216-WFBGA 공급자 장치 패키지 216-FBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 216-WFBGA 공급자 장치 패키지 216-FBGA (12x12) |
