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EDF8164A3PK-GD-F-D

EDF8164A3PK-GD-F-D

참조 용

부품 번호 EDF8164A3PK-GD-F-D
PNEDA 부품 번호 EDF8164A3PK-GD-F-D
설명 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EDF8164A3PK-GD-F-D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EDF8164A3PK-GD-F-D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
EDF8164A3PK-GD-F-D, EDF8164A3PK-GD-F-D 데이터 시트 (총 페이지: 160, 크기: 3,330.38 KB)
PDFEDF8164A3PK-JD-F-R 데이터 시트 표지
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EDF8164A3PK-GD-F-D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스216-WFBGA
공급자 장치 패키지216-FBGA (12x12)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOP

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x10)

MT29F1T08CLHBBG1-3R:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

272-VFBGA

공급자 장치 패키지

272-VBGA (14x18)

M25P80-VMW6G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

7007L20JGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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