MT29C8G96MAZBADJV-5 WT 데이터 시트
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 8Gb (1G x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 137-TFBGA 공급자 장치 패키지 137-TFBGA (10.5x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-WFBGA 공급자 장치 패키지 168-WFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-WFBGA 공급자 장치 패키지 168-WFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 8Gb (1G x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 168-VFBGA 공급자 장치 패키지 168-VFBGA (12x12) |
