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MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR

MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR

참조 용

부품 번호 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR
PNEDA 부품 번호 MT29C8G96MAZBADJV-5-WT-TR
설명 IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR, MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR 데이터 시트 (총 페이지: 220, 크기: 1,952.51 KB)
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MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH, RAM
기술FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-VFBGA
공급자 장치 패키지168-VFBGA (12x12)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TWBGA (8x10)

MT41K128M16JT-125 AUT:K TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

S72XS256RE0AHBHH3

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

XS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, DRAM

메모리 크기

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

133-VFBGA

공급자 장치 패키지

133-FBGA (8x8)

S71KS512SC0BHV000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperFlash™ + HyperRAM™ KL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, DRAM

메모리 크기

512Mbit Flash, 64Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

AS6C4008-55SINTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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