MT47H64M8CF-25E:G TR 데이터 시트
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 350ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (128M x 4) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 350ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-TFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (8x12.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-TFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (8x12.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-TFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (8x12.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 350ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-TFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (8x12.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 512Mb (128M x 4) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 400ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x10) |
