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MT47H64M8CF-25E L:G

MT47H64M8CF-25E L:G

참조 용

부품 번호 MT47H64M8CF-25E L:G
PNEDA 부품 번호 MT47H64M8CF-25E-L-G
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT47H64M8CF-25E L:G 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT47H64M8CF-25E L:G
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT47H64M8CF-25E L:G, MT47H64M8CF-25E L:G 데이터 시트 (총 페이지: 132, 크기: 9,273.5 KB)
PDFMT47H64M8CF-25E:G TR 데이터 시트 표지
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MT47H64M8CF-25E L:G 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-FBGA (8x10)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS61QDP2B451236A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QUADP

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-LFBGA (15x17)

W25Q128JVSIM TR

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S25FL116K0XNFI013

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x8)

MT48LC4M32LFF5-8:G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

125MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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