Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트

SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 639.79 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SI7615CDN-T1-GE3
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 1
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 10
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 11
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 12
SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 13
SI7615CDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen III

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3860pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8