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SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI7615CDN-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI7615CDN-T1-GE3
설명 MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 44,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7615CDN-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7615CDN-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI7615CDN-T1-GE3, SI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 639.79 KB)
PDFSI7615CDN-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI7615CDN-T1-GE3 Distributor

SI7615CDN-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET® Gen III
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs63nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3860pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)33W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8

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ON Semiconductor

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.4pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SMCP

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TEMPFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

49V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 240µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

232nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 25V

FET 기능

Temperature Sensing Diode

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

P-TO220-7-230

패키지 / 케이스

TO-220-7

AON7400AL

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1380pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x3)

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

STY100NS20FD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MESH OVERLAY™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7900pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

450W (Tc)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

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