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VS-CPV363M4KPBF 데이터 시트

VS-CPV363M4KPBF 데이터 시트
총 페이지: 10
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Vishay Semiconductor Diodes Division
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: VS-CPV363M4KPBF, CPV363M4F, CPV363M4K, CPV363M4U
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VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.63V @ 15V, 16A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 11A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 13A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2