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VS-CPV363M4KPBF

VS-CPV363M4KPBF

참조 용

부품 번호 VS-CPV363M4KPBF
PNEDA 부품 번호 VS-CPV363M4KPBF
설명 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-CPV363M4KPBF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-CPV363M4KPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-CPV363M4KPBF, VS-CPV363M4KPBF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 253.75 KB)
PDFVS-CPV363M4KPBF 데이터 시트 표지
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  • VS-CPV363M4KPBF Distributor

VS-CPV363M4KPBF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전력-최대36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce0.74nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지IMS-2

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FAM65CR51DZ2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT200DH60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

VS-GB100TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

1136W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.45nF @ 20V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

APTGF90A60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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