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Diodes Incorporated 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
제조업체Diodes Incorporated
기록 215
페이지 8/8
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
트랜지스터 유형
전류-수집기 (Ic) (최대)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic
전류-수집기 차단 (최대)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
전력-최대
주파수-전환
작동 온도
장착 유형
패키지 / 케이스
공급자 장치 패키지
ZXTD3M832TA
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP
8,802
-
2 PNP (Dual)
3A
40V
370mV @ 250mA, 2.5A
25nA
60 @ 1.5A, 2V
1.7W
190MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-VDFN Exposed Pad
8-MLP (3x2)
ZDT1147TA
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 12V 5A SOT223
4,500
-
2 PNP (Dual)
5A
12V
380mV @ 50mA, 5A
100nA
250 @ 500mA, 2V
2.75W
115MHz
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
SOT-223
IMT4-7-F
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
5,472
-
2 PNP (Dual)
50mA
120V
500mV @ 1mA, 10mA
500nA (ICBO)
180 @ 2mA, 6V
225mW
140MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23-6
SOT-26
ULN2003VAS16-13
Diodes Incorporated
IC INTEGRATED CIRCUIT
5,184
-
-
-
-
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-
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-
LBN150B02-7
Diodes Incorporated
MOSFET ARRAY SMD
5,670
*
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