Instant Offers

부품 번호	설명	재고 있음
FSF10A40 Kyocera	정류기-싱글 DIODE FAST RECOVERY 400V 10A TO- 제조업체: Kyocera International Inc. Electronic Components 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 10A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 45ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 30µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: TO-220-2 Full-Mold 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C	재고 있음5,257
60CPQ150 SMC Diode Solutions	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 150V TO247AD 제조업체: SMC Diode Solutions 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V 전류-평균 정류 (Io): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 830mV @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F: 820pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음432
RHRG3060 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.1V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 45ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 250µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-2 공급자 장치 패키지: TO-247-2 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,195
RURG3060 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 250µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-2 공급자 장치 패키지: TO-247-2 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음54,498
SS19 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 90V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 850mV @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC) 작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C	재고 있음1
MBR6045WT Littelfuse	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO247AD 제조업체: Littelfuse Inc. 시리즈: MBR 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V 전류-평균 정류 (Io): 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 650mV @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,279
STTH1003SB-TR STMicroelectronics	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: ECOPACK®2 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V 전류-평균 정류 (Io): 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 10A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 300V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK 작동 온도-접합: 175°C (Max)	재고 있음4,083
S3B ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 3A SMC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지: SMC (DO-214AB) 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음3,233
S3A ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 50V 3A SMC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지: SMC (DO-214AB) 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,804
1N5615 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,622
S1B ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A SMA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC) 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음124,714
S1A ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC) 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음23,027
1N4007-TP Micro Commercial Co	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지: DO-41 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음520,000
IRG7PK35UD1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1400V 40A 167W TO247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1400V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 20A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 650µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/150ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음256
2SK3755-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,558
2SK3377-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음22,427
2SK3377(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,256
2SJ600-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음12,148
2SJ599(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음88,428
NTMFS4H01NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Ta), 334A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5693pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음134
ZXMN3B01FTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음25,382
MMBT3904WT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음59,406
BSP52T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음1,840
BCP69T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,397
BCP68T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음274
BC857BLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음144,542
BC856BLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음202,003
BC848CLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음25,899
BC848BLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음33,577
BC846BLT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 65V 0.1A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음10,895

FSF10A40

Kyocera

정류기-싱글

DIODE FAST RECOVERY 400V 10A TO-

제조업체: Kyocera International Inc. Electronic Components
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 10A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 45ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 30µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: TO-220-2 Full-Mold
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

재고 있음5,257

60CPQ150

SMC Diode Solutions

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 150V TO247AD

제조업체: SMC Diode Solutions
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
전류-평균 정류 (Io): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 830mV @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F: 820pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음432

RHRG3060

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.1V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 45ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 250µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-2
공급자 장치 패키지: TO-247-2
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,195

RURG3060

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 250µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-2
공급자 장치 패키지: TO-247-2
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음54,498

SS19

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 90V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 850mV @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 90V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C

재고 있음1

MBR6045WT

Littelfuse

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO247AD

제조업체: Littelfuse Inc.
시리즈: MBR
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V
전류-평균 정류 (Io): 30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 650mV @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,279

STTH1003SB-TR

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: ECOPACK®2
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V
전류-평균 정류 (Io): 10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 10A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 300V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK
작동 온도-접합: 175°C (Max)

재고 있음4,083

S3B

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지: SMC (DO-214AB)
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음3,233

S3A

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지: SMC (DO-214AB)
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,804

1N5615

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,622

S1B

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음124,714

S1A

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음23,027

1N4007-TP

Micro Commercial Co

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지: DO-41
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음520,000

IRG7PK35UD1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1400V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 20A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 650µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/150ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음256

2SK3755-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,558

2SK3377-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음22,427

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,256

2SJ600-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음12,148

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음88,428

NTMFS4H01NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Ta), 334A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5693pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음134

ZXMN3B01FTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음25,382

MMBT3904WT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음59,406

BSP52T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음1,840

BCP69T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,397

BCP68T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음274

BC857BLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음144,542

BC856BLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음202,003

BC848CLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음25,899

BC848BLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음33,577

BC846BLT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 65V 0.1A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음10,895

Send Message

Certifications

Instant Offers

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message