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설명
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CY7C1520KV18-300BZC
CY7C1520KV18-300BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, DDR II
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 300MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)
재고 있음248
CY7C1314CV18-200BZI
CY7C1314CV18-200BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)
재고 있음64
CY7C1423JV18-267BZXC
CY7C1423JV18-267BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, DDR II
  • 메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음58
CY7C1034DV33-10BGXI
CY7C1034DV33-10BGXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 6M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 6Mb (256K x 24)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음7,411
STK15C88-SF25I
STK15C88-SF25I

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOIC

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-SOIC
재고 있음64
STK14C88-C45I
STK14C88-C45I

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32CDIP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-CDIP
재고 있음399
STK14C88-5C45M
STK14C88-5C45M

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32CDIP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-CDIP
재고 있음2
STK12C68-WF25
STK12C68-WF25

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-DIP
재고 있음3,831
STK11C68-C35I
STK11C68-C35I

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-CDIP
재고 있음93
STK11C68-5L55M
STK11C68-5L55M

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-LCC
  • 공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)
재고 있음3,530
CYD18S72V18-200BGI
CYD18S72V18-200BGI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (256K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 484-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 484-FBGA (23x23)
재고 있음5,778
CYD18S36V18-167BBAI
CYD18S36V18-167BBAI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4ns
  • 전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (17x17)
재고 있음519
CY7C1472BV25-200BZI
CY7C1472BV25-200BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3ns
  • 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음287
CY7C1263V18-400BZC
CY7C1263V18-400BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 36Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음596
CY7C1250V18-333BZXC
CY7C1250V18-333BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, DDR II
  • 메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음112
CY7C0853AV-100BBI
CY7C0853AV-100BBI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 172FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 172-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 172-FBGA (15x15)
재고 있음855
CY7C0853AV-100BBC
CY7C0853AV-100BBC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 172FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 172-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 172-FBGA (15x15)
재고 있음266
CY14B104N-BA45XC
CY14B104N-BA45XC

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x10)
재고 있음1,645
DS1250YP-100+
DS1250YP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음1,198
M27C322-100F1
M27C322-100F1

STMicroelectronics

기억

IC EPROM 32M PARALLEL 42CDIP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EPROM
  • 기술: EPROM - UV
  • 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
  • 공급자 장치 패키지: 42-CDIP Frit Seal with Window
재고 있음1
IDT71P72804S167BQ
IDT71P72804S167BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.4ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음77
7133LA20PF
7133LA20PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 32K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 32Kb (2K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음1,993
7027L20PF
7027L20PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음1,213
7025L20J
7025L20J

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음5,029
STK17TA8-RF45TR
STK17TA8-RF45TR

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-SSOP
재고 있음180
STK14C88-5L45M
STK14C88-5L45M

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음2,153
STK11C68-5C55M
STK11C68-5C55M

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-CDIP
재고 있음384
CYD36S72V18-200BGXC
CYD36S72V18-200BGXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 36Mb (512K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.3ns
  • 전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 484-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 484-FBGA (23x23)
재고 있음441
CYD36S36V18-167BGXI
CYD36S36V18-167BGXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4ns
  • 전압-공급: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 484-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 484-FBGA (23x23)
재고 있음740
CY7C1463AV33-133AXI
CY7C1463AV33-133AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 6.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음176