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부품 번호	설명	재고 있음
CY7C2270KV18-550BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음1,061
CY7C1371KV33-133AXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,427
MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음46
CY7C1318KV18-250BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음275
CY7C1321KV18-250BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음160
CY7C1361C-100AXE Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음287
CY14B116S-BZ25XI Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (512K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음903
CY14B116N-ZSP45XI Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,046
CY62167EV18LL-55BVI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MoBL® 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음1,049
CY7C1460KV25-167BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음1,684
CY7C2163KV18-550BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음3,523
CY7C1248KV18-400BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음445
CY7C1051DV33-10ZSXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,790
CY14B108M-ZSP45XI Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,881
CY14B104NA-ZS45XE Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: - 전압-공급: 3V ~ 3.63V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,637
CY7C2163KV18-450BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 450MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음1,519
CY7C1418KV18-250BZI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음1,075
CY7C1425KV18-250BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 36Mb (4M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음5,418
CY7C1061G18-15BV1XI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음2,752
S29GL01GT10DHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음1,135
CY62167EV30LL-45BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MoBL® 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음4,192
CY7C1061GE30-10BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음1,227
CY7C1370KVE33-167AXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: NoBL™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2,998
CY7C1312KV18-250BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음443
CY7C1383D-133AXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음1,517
CY7C1061G30-10BV1XE Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음1,641
CY14B101LA-BA25XI Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x10)	재고 있음2,540
AT45DB641E-MHN2B-T Adesto Technologies	기억 IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8UDFN 제조업체: Adesto Technologies 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 64Mb (256 Bytes x 32K pages) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 85MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8µs, 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-UDFN (5x6)	재고 있음1,819
DS28EC20P+T Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-TSOC	재고 있음553
M95512-DFMC6TG STMicroelectronics	기억 IC EEPROM 512K SPI 8UFDFPN 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 16MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-UFDFPN (2x3)	재고 있음5,781

CY7C2270KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음1,061

CY7C1371KV33-133AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,427

MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음46

CY7C1318KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음275

CY7C1321KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음160

CY7C1361C-100AXE

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음287

CY14B116S-BZ25XI

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음903

CY14B116N-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,046

CY62167EV18LL-55BVI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MoBL®
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음1,049

CY7C1460KV25-167BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음1,684

CY7C2163KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음3,523

CY7C1248KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음445

CY7C1051DV33-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,790

CY14B108M-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,881

CY14B104NA-ZS45XE

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: -
전압-공급: 3V ~ 3.63V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,637

CY7C2163KV18-450BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 450MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음1,519

CY7C1418KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음1,075

CY7C1425KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 36Mb (4M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음5,418

CY7C1061G18-15BV1XI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음2,752

S29GL01GT10DHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음1,135

CY62167EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MoBL®
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음4,192

CY7C1061GE30-10BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음1,227

CY7C1370KVE33-167AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: NoBL™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음2,998

CY7C1312KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음443

CY7C1383D-133AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음1,517

CY7C1061G30-10BV1XE

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음1,641

CY14B101LA-BA25XI

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x10)

재고 있음2,540

AT45DB641E-MHN2B-T

Adesto Technologies

기억

IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8UDFN

제조업체: Adesto Technologies
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 64Mb (256 Bytes x 32K pages)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 85MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8µs, 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-UDFN (5x6)

재고 있음1,819

DS28EC20P+T

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-TSOC

재고 있음553

M95512-DFMC6TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 512K SPI 8UFDFPN

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 16MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-UFDFPN (2x3)

재고 있음5,781

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