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부품 번호
설명
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AT28C010-12EM/883
AT28C010-12EM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32LCC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-CLCC
  • 공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)
재고 있음308
AT28HC256-90LM/883
AT28HC256-90LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-CLCC
  • 공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)
재고 있음13
THGBMJG9C8LBAU8
THGBMJG9C8LBAU8

Toshiba Memory America, Inc.

기억

512GBIT V5.1 I TEMP EMMC

  • 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
  • 시리즈: e•MMC™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스: eMMC
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 153-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)
재고 있음274
CY7C1372KV33-167AXI
CY7C1372KV33-167AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음5,570
AS4C1G8D3LA-10BCN
AS4C1G8D3LA-10BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

DDR3 1G X 8 78-BALL FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음5,213
RMLV1616AGBG-5S2#AC0
RMLV1616AGBG-5S2#AC0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)
재고 있음1,243
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64LBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 95ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)
재고 있음6,319
S25FL128SAGNFI010
S25FL128SAGNFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: FL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)
재고 있음2
CY7C1663KV18-550BZXC
CY7C1663KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 550MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음8,006
CY7C1670KV18-450BZXC
CY7C1670KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
  • 메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 450MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음338
CY7C25632KV18-400BZXI
CY7C25632KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)
재고 있음16,346
CY7C1612KV18-250BZXI
CY7C1612KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 250MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음1,219
CY7C1470V25-200BZI
CY7C1470V25-200BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3ns
  • 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음132
CY7C1470BV25-167BZXI
CY7C1470BV25-167BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음870
CY7C1480BV33-167AXI
CY7C1480BV33-167AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음665
CY7C1472BV33-167AXI
CY7C1472BV33-167AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음262
CY7C1470BV33-200AXC
CY7C1470BV33-200AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음564
CY7C1470BV25-250AXC
CY7C1470BV25-250AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 250MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3ns
  • 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음341
DS1250ABP-100+
DS1250ABP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음261
CY14B108K-ZS25XI
CY14B108K-ZS25XI

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음169
DS1249AB-70#
DS1249AB-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음27
CY7C2644KV18-300BZXI
CY7C2644KV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 300MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음353
CY7C1470BV33-167BZI
CY7C1470BV33-167BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)
재고 있음3,075
CY7C1470BV33-167AXC
CY7C1470BV33-167AXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음226
CY7C1370KV33-167AXI
CY7C1370KV33-167AXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: NoBL™
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음6,910
DS1245AB-120+
DS1245AB-120+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음9
71256L45DB
71256L45DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-CerDip
재고 있음616
CY7C1051DV33-12ZSXI
CY7C1051DV33-12ZSXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,656
DS1225AD-200IND+
DS1225AD-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음527
CY62168EV30LL-45BVXI
CY62168EV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: MoBL®
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음4,050