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부품 번호
설명
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KBU1006
KBU1006

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음74
KBU1004
KBU1004

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음1,377
DFB20100
DFB20100

ON Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A TS-6P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 20A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, TS-6P
  • 공급자 장치 패키지: TS-6P
재고 있음238
KBU8D
KBU8D

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 8A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음302
KBU8B
KBU8B

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 8A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBU
  • 공급자 장치 패키지: KBU
재고 있음40
GBU15M
GBU15M

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 15A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 15A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음9,917
GBU10M
GBU10M

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음83
GBU10A
GBU10A

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 10A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음269
KBL610G
KBL610G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBL
  • 공급자 장치 패키지: KBL
재고 있음336,731
GBLA06-E3/51
GBLA06-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음46,704
KBL406G
KBL406G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBL
  • 공급자 장치 패키지: KBL
재고 있음781
KBJ410G
KBJ410G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJ

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBJ
  • 공급자 장치 패키지: KBJ
재고 있음31
KBJ406G
KBJ406G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBJ

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBJ
  • 공급자 장치 패키지: KBJ
재고 있음7,456
KBJ404G
KBJ404G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBJ

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 400V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBJ
  • 공급자 장치 패키지: KBJ
재고 있음101
KBJ401G
KBJ401G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A KBJ

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBJ
  • 공급자 장치 패키지: KBJ
재고 있음210
KBJ4005G
KBJ4005G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJ

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBJ
  • 공급자 장치 패키지: KBJ
재고 있음1,296
GBU6D
GBU6D

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음178
GBU6A
GBU6A

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 6A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 6A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음142
GBU8KS
GBU8KS

ON Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 8A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 8A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음6,930
GBLA06-E3/45
GBLA06-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음2,110
GBU4M
GBU4M

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음2,672
GBU4J
GBU4J

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음1,504
GBU4D
GBU4D

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBU
  • 공급자 장치 패키지: GBU
재고 있음143
GBL06
GBL06

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음8,429
KBP202G
KBP202G

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, KBP
  • 공급자 장치 패키지: KBP
재고 있음272
DF01SA-E3/45
DF01SA-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFS

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: DFS
재고 있음200
DF01MA-E3/45
DF01MA-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFM

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 1A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: DFM
재고 있음2,511
RABS15M REG
RABS15M REG

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 1.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: ABS-L
재고 있음2,126
KBPC2506-G
KBPC2506-G

Comchip Technology

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A KBPC

  • 제조업체: Comchip Technology
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 25A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: QC Terminal
  • 패키지 / 케이스: 4-Square, KBPC
  • 공급자 장치 패키지: KBPC
견적 요청
DFL1510S-E3/77
DFL1510S-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 1.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: DFS
재고 있음3,705