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Microchip Technology 트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Microchip Technology
기록 185
페이지 7/7
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
FET 유형
기술
드레인-소스 전압 (Vdss)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Vgs (최대)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
FET 기능
전력 손실 (최대)
작동 온도
장착 유형
공급자 장치 패키지
패키지 / 케이스
MCP87030T-U/MF
Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
3,474
-
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
25V
100A (Tc)
4.5V, 10V
3.5mOhm @ 20A, 10V
1.6V @ 250µA
22nC @ 4.5V
+10V, -8V
1635pF @ 12.5V
-
2.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-PDFN (5x6)
8-PowerTDFN
MCP87022T-U/MF
Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
5,382
-
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
25V
100A (Tc)
4.5V, 10V
2.3mOhm @ 25A, 10V
1.6V @ 250µA
29nC @ 4.5V
+10V, -8V
2310pF @ 12.5V
-
2.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-PDFN (5x6)
8-PowerTDFN
MCP87018T-U/MF
Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
3,474
-
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
25V
100A (Tc)
3.3V, 10V
1.9mOhm @ 25A, 10V
1.6V @ 250µA
37nC @ 4.5V
+10V, -8V
2925pF @ 12.5V
-
2.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-PDFN (5x6)
8-PowerTDFN
TP2424N8-G
Microchip Technology
MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3
5,058
-
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
240V
316mA (Tj)
4.5V, 10V
8Ohm @ 500mA, 10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
200pF @ 25V
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-243AA (SOT-89)
TO-243AA
MIC94031CYW
Microchip Technology
MOSFET P-CHANNEL 16V 1A
3,276
TinyFET®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
16V
1A (Ta)
-
450mOhm @ 100mA, 10V
1.4V @ 250µA
-
-
-
-
568mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
-