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1N1200AR

1N1200AR

참조 용

부품 번호 1N1200AR
PNEDA 부품 번호 1N1200AR
설명 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,844
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N1200AR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N1200AR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N1200AR, 1N1200AR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 794.16 KB)
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  • 1N1200AR Distributor

1N1200AR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 12A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.26V @ 38A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA (DO-4)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MPG06MHE3_A/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

600ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

MPG06, Axial

공급자 장치 패키지

MPG06

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBRH24035R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

240A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

720mV @ 240A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FR206GTA

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 560V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAS521,315

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

150nA @ 250V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

작동 온도-접합

150°C (Max)

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