MBR3580R 데이터 시트
|
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 680mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 12A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 200°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 680mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
