MBR35100R
참조 용
| 부품 번호 | MBR35100R |
| PNEDA 부품 번호 | MBR35100R |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4 |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,704 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MBR35100R 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MBR35100R |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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MBR35100R 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky, Reverse Polarity |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 35A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 840mV @ 35A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1.5mA @ 20V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-4 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
