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1N4596

1N4596

참조 용

부품 번호 1N4596
PNEDA 부품 번호 1N4596
설명 DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,966
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4596 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4596
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4596, 1N4596 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 1,751.78 KB)
PDF1N4596R 데이터 시트 표지
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  • 1N4596 Distributor

1N4596 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1400V
전류-평균 정류 (Io)150A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 150A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3.5mA @ 1400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AA, DO-8, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AA (DO-8)
작동 온도-접합-60°C ~ 200°C

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650V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 15A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

550pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

작동 온도-접합

175°C (Max)

SS1P6L-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

590mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-20TQ045STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2.7mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S2AA M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JAN1N5819-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/586

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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