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1N4730A

1N4730A

참조 용

부품 번호 1N4730A
PNEDA 부품 번호 1N4730A
설명 DIODE ZENER 3.9V 1W DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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1N4730A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4730A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N4730A, 1N4730A 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 933.59 KB)
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1N4730A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.9V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)9 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

TSZL52C3V9 RWG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005

1N5358BG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 16.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

1N4704 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

17V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

SMZJ3805BHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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