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1N4755A G

1N4755A G

참조 용

부품 번호 1N4755A G
PNEDA 부품 번호 1N4755A-G
설명 DIODE ZENER 43V 1W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,948
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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1N4755A G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4755A G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4755A G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)43V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)70 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 32.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 32.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

2EZ190D2E3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

190V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

825 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 144.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

JANTXV1N4989

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

500 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

1N4981US

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±4.95%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF

공급자 장치 패키지

-

CDZVT2R3.6B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

-

전력-최대

100mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

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