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1N5255B

1N5255B

참조 용

부품 번호 1N5255B
PNEDA 부품 번호 1N5255B
설명 DIODE ZENER 28V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
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예상 배송 3월 24 - 3월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5255B 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5255B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5255B, 1N5255B 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 307.56 KB)
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1N5255B 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)28V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)44 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 21V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

MTZJT-777.5B

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

JAN1N6312DUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

JAN1N4988

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

ZM4764A-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

100V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

350 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 76V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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