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1N5338CE3/TR8

1N5338CE3/TR8

참조 용

부품 번호 1N5338CE3/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5338CE3-TR8
설명 DIODE ZENER 5.1V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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1N5338CE3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5338CE3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N5338CE3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)5.1V
공차±2%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)1.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

4.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

BZT52B68-G3-08

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±2%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

24.2V

공차

±5.78%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

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