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1N5364CE3/TR8

1N5364CE3/TR8

참조 용

부품 번호 1N5364CE3/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5364CE3-TR8
설명 DIODE ZENER 33V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5364CE3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5364CE3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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  • 1N5364CE3/TR8 Distributor

1N5364CE3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±2%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 23.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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공차

±2%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 11.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-523

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

1N5999B-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±6%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 7.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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