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1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

참조 용

부품 번호 1N6479HE3/97
PNEDA 부품 번호 1N6479HE3-97
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6479HE3/97 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6479HE3/97
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • 1N6479HE3/97 Distributor

1N6479HE3/97 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

관심을 가질만한 제품

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

12F80B        BN R Y

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.26V @ 38A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-18TQ045HN3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 18A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

1400pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

TVR10K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

GP2D006A060C

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

316pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252-2L (DPAK)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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