1SS315TPH3F
참조 용
| 부품 번호 | 1SS315TPH3F | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1SS315TPH3F | ||||||||||||||||||
| 설명 | RF DIODE SCHOTTKY 5V USC | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 376 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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1SS315TPH3F 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1SS315TPH3F |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
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- 1SS315TPH3F Distributor
1SS315TPH3F 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 5V |
| 현재-최대 | 30mA |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.6pF @ 0.2V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | 125°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | SC-76, SOD-323 |
| 공급자 장치 패키지 | USC |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대) 75mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 100V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 50V, 1MHz 저항 @ If, F 3Ohm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323 |
