2N5830_D26Z
참조 용
| 부품 번호 | 2N5830_D26Z |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5830_D26Z |
| 설명 | TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,232 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
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2N5830_D26Z 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5830_D26Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2N5830_D26Z 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 50nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| 전력-최대 | 625mW |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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