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2SA1163-GR,LF

2SA1163-GR,LF

참조 용

부품 번호 2SA1163-GR,LF
PNEDA 부품 번호 2SA1163-GR-LF
설명 TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 42,606
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SA1163-GR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1163-GR,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2SA1163-GR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력-최대150mW
주파수-전환100MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지S-Mini

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30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

220mV @ 50mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

전력-최대

625mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 1V

전력-최대

-

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-

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Through Hole

패키지 / 케이스

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 150mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 5V

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