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2SC2229-Y(MIT1,F,M

2SC2229-Y(MIT1,F,M

참조 용

부품 번호 2SC2229-Y(MIT1,F,M
PNEDA 부품 번호 2SC2229-Y-MIT1-F-M
설명 TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 29 - 1월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC2229-Y(MIT1 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2229-Y(MIT1,F,M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2229-Y(MIT1, 2SC2229-Y(MIT1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 138.76 KB)
PDF2SC2229-Y 데이터 시트 표지
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2SC2229-Y(MIT1 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
전력-최대800mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 800mA, 3V

전력-최대

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Through Hole

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 10A, 3V

전력-최대

6W

주파수-전환

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작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

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주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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