A2T27S007NT1
참조 용
| 부품 번호 | A2T27S007NT1 |
| PNEDA 부품 번호 | A2T27S007NT1 |
| 설명 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,978 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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A2T27S007NT1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2T27S007NT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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A2T27S007NT1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 728MHz ~ 3.6GHz |
| 이득 | - |
| 전압-테스트 | - |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | - |
| 전원-출력 | 28.8dBm |
| 전압-정격 | 28V |
| 패키지 / 케이스 | 16-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 16-DFN (4x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 65MHz 이득 15dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 25µA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 150W 전압-정격 1000V 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 550mA 전원-출력 9.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-400 공급자 장치 패키지 NI-400-240 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 13mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 30V 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 M/A-Com Technology Solutions 시리즈 - 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득 11.2dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 9mA 소음 수치 - 현재-테스트 300mA 전원-출력 120W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
