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A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

참조 용

부품 번호 A2V07H525-04NR6
PNEDA 부품 번호 A2V07H525-04NR6
설명 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2V07H525-04NR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2V07H525-04NR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2V07H525-04NR6, A2V07H525-04NR6 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 1,050.93 KB)
PDFA2V07H525-04NR6 데이터 시트 표지
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A2V07H525-04NR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수595MHz ~ 851MHz
이득17.5dB
전압-테스트48V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트700mA
전원-출력120W
전압-정격105V
패키지 / 케이스OM-1230-4L
공급자 장치 패키지OM-1230-4L

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

PTFA211801E V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

PXFC193808SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

33A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

120W

전압-정격

60V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

ARF460BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

125V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

-

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247CS

최근 판매

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