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PTFA211801E V4 R250

PTFA211801E V4 R250

참조 용

부품 번호 PTFA211801E V4 R250
PNEDA 부품 번호 PTFA211801E-V4-R250
설명 FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,856
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA211801E V4 R250 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA211801E V4 R250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA211801E V4 R250, PTFA211801E V4 R250 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 257.72 KB)
PDFPTFA211801F V4 R250 데이터 시트 표지
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PTFA211801E V4 R250 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력35W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36260-2

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전원-출력

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Infineon Technologies

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LDMOS

주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

4.5A

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

112V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

145mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

12dBm

전압-정격

4.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343, SC70 4-Lead

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