ALD1101PAL
참조 용
| 부품 번호 | ALD1101PAL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD1101PAL |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,326 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD1101PAL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD1101PAL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD1101PAL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PDIP |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc), 18A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V 전력-최대 40W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-PDFN (5x6) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 275pF @ 15V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 390mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 56pF @ 15V 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
